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R&D Equipment
다양한 재료와 공정 조건의 실험 및 최적화를 위해 설계된 연구용 시스템
소재 개발, 박막 특성 분석, 공정 변수 테스트 등에 폭넓게 활용
빠른 셋업과 정밀한 공정 제어를 통해 높은 재현성과 효율성을 제공
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EUV Blank Mask Ion Beam Deposition System
- Process Material : Mo, Si, Cr, CrO, C, SiN
- Substrate : 12” Wafer, 200 × 200 mm² Glass
- Uniformity : ≤3%
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Cluster R&D Equipment
- Process Material : Mo, Si, Cr, CrO, C, SiN
- Substrate : 12” Wafer, 200 × 200 mm² Glass
- Uniformity : ≤3%
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TiCN/DLC High Hardness Sputtering System
- Process : MCA Chuck Coating
- Chuck Size : 8” – 12”
- Uniformity : ≤3%
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Multi-Reactive Sputtering System
- Process Material : Metal, TCO, Oxide
- Substrate : 4” – 8” Wafer
- Uniformity : ≤3%
